第三章 光波导(Optical Waveguides)零基础详细学习笔记
核心结论:本章是光电子学的核心章节,围绕“限制光波横向传播、引导纵向传输”的光波导展开,从基础结构、两类分析理论(射线光学/电磁理论),到平面/圆形波导的模式特性、特征方程、关键参数及应用,覆盖考试所有重点。零基础需重点掌握“结构-理论-公式-计算-应用”的逻辑链,简答聚焦概念定义与物理意义,计算集中于参数求解与模式判断。
一、光波导入门基础(零基础必看)
1.1 什么是光波导?
- 定义:由“高折射率芯层(core)”和“低折射率包层(cladding)”组成的 dielectric 结构,利用全反射(TIR)将光波限制在芯层及近包层区域,引导其沿纵向(z方向)传播,避免光能量发散。
- 核心作用:连接光电子器件(如激光器、探测器)、实现光信号传输(光纤通信)、构成有源/无源器件(波导调制器、光栅)。
- 为什么需要光波导?:自由空间中光会发散,无法长距离传输或精准耦合到器件,光波导通过折射率差异实现“横向约束”,解决这一问题。
1.2 光波导的分类(考试高频简答考点)
| 分类依据 | 具体类型 | 关键特征 | |—————-|————————————————————————–|————————————————————————–| | 横向约束维度 | 平面波导(Planar Waveguide) | 仅x方向约束(芯层夹在两层包层间),y方向无约束,场分布与y无关 | | | 非平面波导(Nonplanar Waveguide) | x、y双向约束,如圆形光纤(光纤)、沟道波导 | | 折射率分布 | 阶跃折射率波导(Step-index Waveguide) | 芯层/包层折射率突变(n₁>n₂,边界清晰) | | | 渐变折射率波导(Graded-index Waveguide) | 芯层折射率沿横向渐变(如抛物线型),减少模式色散 | | 纵向均匀性 | 纵向均匀波导 | 折射率n(x,y)不随z变化,本章核心研究对象 | | | 纵向非均匀波导 | n(x,y,z)随z变化(如光栅波导),本章不重点涉及 | | 应用场景 | 光纤(Circular Fiber) | 圆柱形结构,用于长距离光通信、光纤传感 | | | 平板波导(Slab Waveguide) | 平面结构,用于集成光电子器件(如半导体激光器的光约束层) |
1.3 核心基础概念(术语表,必背)
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全反射(Total Internal Reflection, TIR):光从光密介质(n₁)入射到光疏介质(n₂,n₁>n₂),入射角 $θ_i$ > 临界角 $θ_c$ 时,无折射光,仅反射光,且反射系数$ r =1$,是光波导约束光的核心原理。 - 临界角(Critical Angle):$θ_c = arcsin(n₂/n₁)$,当$θᵢ=θ_c$时,折射角=90°,折射光沿界面传播。
- 消逝波(Evanescent Wave):全反射时,光并非完全被反射,会有极弱的光场渗透到包层(深度为“穿透深度”),振幅随距离指数衰减,无能量传输(仅瞬态储能)。
- 导模(Guided Modes):满足全反射条件、能在波导中稳定传播的光场模式,场分布沿z方向振幅不变,仅相位变化。
- 辐射模(Radiation Modes):不满足全反射条件,光场向包层发散的模式,无法稳定传播。
- 传播常数(Propagation Constant, β):描述光沿z方向的相位变化率,$β=k₀n_β$($k₀=2π/λ$为自由空间波数,$n_β$为有效折射率),导模满足$k₀n₂<β<k₀n₁$($k₀n₁=k₁,k₀n₂=k₂$)。
- 有效折射率(Effective Index, n_β):$n_β=β/k₀$,反映波导对光的等效约束能力,导模满足$n₂<n_β<n₁$。
二、平面波导的射线光学理论(3.1)
2.1 平面波导的结构的结构
- 基本结构:三层介质(沿x方向分层,y方向无限延伸)
- 芯层(film/core):x∈[-d/2, d/2],折射率n₁(最高),厚度d;
- 衬底包层(substrate):x<-d/2,折射率n₂;
- 覆盖包层(cover):x>d/2,折射率n₃;
- 分类:
- 对称平面波导:n₂=n₃(如芯层上下均为空气);
- 非对称平面波导:n₂≠n₃(如芯层下为硅衬底、上为空气);
- 前提假设:波导无损耗、各向同性、非磁性、无源;入射光为单色平面波(频率ω固定)。
2.2 核心原理:全反射与射线传播
2.2.1 全反射的详细条件与现象
- 三要素:
- 折射率关系:n₁>n₂≥n₃(芯层>包层);
- 入射角条件:θᵢ>θ₂c(θ₂c=sin⁻¹(n₂/n₁)为芯层-衬底临界角),且θᵢ>θ₃c(θ₃c=sin⁻¹(n₃/n₁)为芯层-覆盖层临界角);
- 偏振影响:TE偏振(电场垂直入射面)和TM偏振(电场平行入射面)的反射相位偏移不同,后续影响特征方程。
- 全反射的两个关键结果:
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反射系数 r =1:光能量完全反射,无透射损耗; - 相位偏移(φ):并非反射后相位不变,TE/TM偏振的相位偏移φ_TE、φ_TM不同,公式如下:
- TE偏振:tanφ_TE = √(n₁²sin²θᵢ - n₂²) / (n₁cosθᵢ) = √(β² - k₀²n₂²) / √(k₀²n₁² - β²)
- TM偏振:tanφ_TM = (n₁²/n₂²) × √(n₁²sin²θᵢ - n₂²) / (n₁cosθᵢ) = (n₁²/n₂²) × √(β² - k₀²n₂²) / √(k₀²n₁² - β²)
- 注:φ的单位为弧度,影响后续“相位匹配条件”。
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2.2.2 射线的传播模式(导模vs辐射模)
光在平面波导中以“之字形(zigzag)”传播,不同入射角对应不同模式: | 模式类型 | 入射角条件 | 传播常数范围 | 物理意义 | |————————|—————————|——————–|————————————————————————–| | 导模(Guided Modes) | θᵢ>θ₂c≥θ₃c | k₀n₂<β<k₀n₁ | 光在芯层内多次全反射,能量被约束,稳定沿z传播 | | 衬底辐射模 | θ₃c<θᵢ<θ₂c | k₀n₃<β<k₀n₂ | 光在芯层-覆盖层全反射,但在芯层-衬底折射,能量向衬底发散 | | 衬底-覆盖辐射模 | θᵢ<θ₃c<θ₂c | β<k₀n₃ | 光在两个界面均折射,能量向衬底和覆盖层发散,无法稳定传播 |
2.3 导模的核心:相位匹配与特征方程
2.3.1 为什么需要特征方程?
导模并非所有满足θᵢ>θ₂c的入射角都能存在!光沿“之字形”传播时,相邻两次反射的光需满足“相位匹配”——即总相位差为2mπ(m=0,1,2,…,整数倍),否则会相互干涉抵消,无法形成稳定模式。
2.3.2 特征方程推导(关键步骤)
- 光程差计算:光在芯层中传播一段距离,横向(x方向)往返的光程差为:ΔL = 2dcosθᵢ(d为芯层厚度,cosθᵢ是横向光程的投影系数);
- 相位差贡献:
- 光程差对应的相位差:Δφ₁ = k₀n₁×ΔL = 2k₀n₁dcosθᵢ(k₀=2π/λ,λ为光波长);
- 两次全反射的相位偏移:Δφ₂ = 2φ₁₂ + 2φ₁₃(φ₁₂是芯层-衬底反射的相位偏移,φ₁₃是芯层-覆盖层反射的相位偏移);
- 相位匹配条件:总相位差需为2mπ(干涉加强),即: Δφ₁ - Δφ₂ = 2mπ → 2k₀n₁dcosθᵢ - 2(φ₁₂+φ₁₃) = 2mπ → k₀n₁dcosθᵢ - φ₁₂ - φ₁₃ = mπ
- 代入相位偏移公式:结合TE/TM的φ表达式,最终得到特征方程(考试核心公式,必须背会):
(1)TE模式特征方程
\(h_1 d = m\pi + tan^{-1}\left(\frac{\gamma_2}{h_1}\right) + tan^{-1}\left(\frac{\gamma_3}{h_1}\right)\) 或等价形式: \(tan(h_1 d) = \frac{h_1(\gamma_2 + \gamma_3)}{h_1^2 - \gamma_2 \gamma_3}\)
(2)TM模式特征方程
\(tan(h_1 d) = \frac{n_1^2 h_1 \left(n_3^2 \gamma_2 + n_2^2 \gamma_3\right)}{n_2^2 n_3^2 h_1^2 - n_1^4 \gamma_2 \gamma_3}\)
2.3.3 特征方程中关键参数定义(符号必须记准)
| 参数 | 公式 | 物理意义 | |————|—————————————|————————————————————————–| | h₁ | ( h_1 = \sqrt{k_0^2 n_1^2 - \beta^2} ) | 芯层中横向(x方向)传播常数,实数(因β<k₀n₁),描述光在芯层的横向振荡特性 | | γ₂ | ( \gamma_2 = \sqrt{\beta^2 - k_0^2 n_2^2} ) | 衬底中衰减系数,实数(因β>k₀n₂),描述消逝波在衬底的衰减速率 | | γ₃ | ( \gamma_3 = \sqrt{\beta^2 - k_0^2 n_3^2} ) | 覆盖层中衰减系数,实数(因β>k₀n₃),描述消逝波在覆盖层的衰减速率 | | k₀ | ( k_0 = \frac{2\pi}{\lambda} = \frac{\omega}{c} ) | 自由空间波数,λ为光波长,c为真空中光速(3×10⁸m/s),ω为角频率 | | β | ( \beta = k_0 n_1 sin\theta_i ) | 纵向传播常数,与入射角θᵢ直接相关,核心待求参数 | | m | m=0,1,2,… | 模式阶数,m=0为基模(fundamental mode),m≥1为高阶模(high-order mode) |
2.4 关键衍生参数(考试计算核心)
2.4.1 有效折射率(n_β)
- 公式:( n_\beta = \frac{\beta}{k_0} = n_1 sin\theta_i )
- 物理意义:等效描述光波导中光的传播速度,( v_p = \frac{c}{n_\beta} )(相速度);
- 范围:$n₂ < n_β < n₁$(导模专属,辐射模$n_β < n₂$)。
2.4.2 归一化频率(V)
- 公式:( V = k_0 d \sqrt{n_1^2 - n_2^2} = \frac{2\pi d}{\lambda} \sqrt{n_1^2 - n_2^2} )
- 物理意义:综合“波长、芯层厚度、折射率差”的无量纲参数,决定波导支持的模式数量;
- 关键结论:V越大,支持的模式越多(多模波导);V越小,模式越少(单模波导)。
2.4.3 归一化导模折射率(b)
- 公式:( b = \frac{n_\beta^2 - n_2^2}{n_1^2 - n_2^2} = \frac{\beta^2 - k_0^2 n_2^2}{k_0^2(n_1^2 - n_2^2)} )
- 物理意义:描述导模与包层的“折射率差异程度”,范围0 < b < 1(导模),b=0为截止状态。
2.4.4 不对称因子(a)
- 公式:( a = \frac{n_2^2 - n_3^2}{n_1^2 - n_2^2} )
- 物理意义:描述平面波导的不对称程度,对称波导(n₂=n₃)时a=0,非对称波导a>0。
2.5 截止条件(考试高频考点)
2.5.1 什么是截止?
导模 → 辐射模的临界状态:当β=k₀n₂(n_β=n₂)时,γ₂=0(衬底中衰减系数为0),光在芯层-衬底界面不再全反射,开始折射,此时的参数(波长、厚度、频率)称为“截止参数”。
2.5.2 截止波长($λ_m^c$)
- 定义:对应截止状态的波长,当$λ>λ_m^c$时,$V<V_m^c$(截止归一化频率),模式变为辐射模;当$λ<λ_m^c$时,$V>V_m^c$,模式为导模;
- 公式(TE模式):( \lambda_m^c = \frac{2\pi d \sqrt{n_1^2 - n_2^2}}{V_m^c} ),其中( V_m^c = m\pi + tan^{-1}\sqrt{a} )(截止归一化频率);
- 关键结论:
- 对称波导(a=0):基模(m=0)$V₀^c=0 → λ₀^c→∞$,基模永远不截止;
- 非对称波导(a>0):基模有截止波长,$λ>λ₀^c$时基模也会变成辐射模。
2.5.3 截止厚度($d_m^c$)
- 定义:对应截止状态的芯层厚度,d«d_m^c时模式截止;
- 公式:( d_m^c = \frac{\lambda V_m^c}{2\pi \sqrt{n_1^2 - n_2^2}} )
2.6 模式数量判断(计算题必考)
- 核心公式(TE模式数量):( M_{TE} = \left[ \frac{V}{\pi} - \frac{1}{\pi} tan^{-1}\sqrt{a} \right]_{int} )
- 核心公式(TM模式数量):( M_{TM} = \left[ \frac{V}{\pi} - \frac{1}{\pi} tan^{-1}\left( \frac{n_1^2}{n_3^2} \sqrt{a} \right) \right]_{int} )
- 说明:[ ]_int表示“向下取整”,V为归一化频率,a为不对称因子;
- 示例:若计算得M_TE=4.2,则实际支持4个TE模式(TE₀~TE₃)。
二、平面波导的电磁理论(3.2)
2.1 核心逻辑:从麦克斯韦方程组出发
射线光学理论是“几何近似”,适合定性分析;电磁理论基于麦克斯韦方程组,是精确描述,能推导场分布、正交性等关键特性,考试简答/计算均需掌握。
2.2 前提假设
- 纵向均匀波导:n(x,y)不随z变化,场分量可表示为“横向分布×纵向相位因子”: \(E(r,t) = \mathcal{E}(x,y) exp[i(\beta z - \omega t)]\) \(H(r,t) = \mathcal{H}(x,y) exp[i(\beta z - \omega t)]\) 其中,( \mathcal{E}(x,y) )、( \mathcal{H}(x,y) )是横向场分布(与z无关),( exp[i(\beta z - \omega t)] )描述纵向传播。
- 无损耗、各向同性、非磁性:$μ=μ₀$(真空磁导率),$ε=ε₀n²$(介电常数与折射率平方成正比)。
2.3 场分量关系(核心公式)
通过麦克斯韦方程组推导,横向分量(Eₓ、Eᵧ、Hₓ、Hᵧ)可由纵向分量(E_z、H_z)完全表示,无需单独求解所有分量: \((k^2 - \beta^2) \mathcal{E}_x = i\beta \frac{\partial \mathcal{E}_z}{\partial x} + i\omega \mu_0 \frac{\partial \mathcal{H}_z}{\partial y}\) \((k^2 - \beta^2) \mathcal{E}_y = i\beta \frac{\partial \mathcal{E}_z}{\partial y} - i\omega \mu_0 \frac{\partial \mathcal{H}_z}{\partial x}\) \((k^2 - \beta^2) \mathcal{H}_x = i\beta \frac{\partial \mathcal{H}_z}{\partial x} - i\omega \varepsilon \frac{\partial \mathcal{E}_z}{\partial y}\) \((k^2 - \beta^2) \mathcal{H}_y = i\beta \frac{\partial \mathcal{H}_z}{\partial y} + i\omega \varepsilon \frac{\partial \mathcal{E}_z}{\partial x}\)
- 说明:k=k₀n(介质中的波数),核心结论——只要找到E_z和H_z,就能得到所有场分量。
2.4 模式分类(基于纵向分量)
| 模式类型 | 纵向分量特征 | 关键特点 | |—————-|—————————–|————————————————————————–| | TE模式(横电模式) | E_z=0,H_z≠0 | 电场无纵向分量,仅含横向电场(Eᵧ)和纵向/横向磁场(H_z、Hₓ),平面波导主要模式 | | TM模式(横磁模式) | H_z=0,E_z≠0 | 磁场无纵向分量,仅含横向磁场(Hᵧ)和纵向/横向电场(E_z、Eₓ),与TE模式成对出现 | | TEM模式 | E_z=0且H_z=0 | 无纵向分量,仅含横向场,但介质波导不支持TEM模式(因无法满足边界条件) | | 混合模(Hybrid) | E_z≠0且H_z≠0 | 平面波导中无混合模(因y方向无约束,场分量与y无关,E_z和H_z decouple),圆形波导中存在 |
2.5 波动方程与场分布
2.5.1 波动方程推导
由麦克斯韦方程组推导,纵向分量E_z和H_z满足亥姆霍兹方程: \(\left( \frac{\partial^2}{\partial x^2} + \frac{\partial^2}{\partial y^2} \right) \mathcal{E}_z + (k^2 - \beta^2) \mathcal{E}_z = 0\) \(\left( \frac{\partial^2}{\partial x^2} + \frac{\partial^2}{\partial y^2} \right) \mathcal{H}_z + (k^2 - \beta^2) \mathcal{H}_z = 0\)
2.5.2 平面波导的场分布(TE模式示例)
平面波导中y方向无约束(∂/∂y=0),波动方程简化为一维:
- 芯层(x∈[-d/2,d/2]):k₁² - β² = h₁² > 0,方程解为振荡函数(余弦/正弦): \(\mathcal{E}_y(x) = C_{TE} \cos(h_1 x - \psi)\)(ψ为相位常数,由边界条件确定)
- 衬底(x<-d/2):k₂² - β² = -γ₂² < 0,方程解为指数衰减函数(消逝波): \(\mathcal{E}_y(x) = C_{TE} \cos(h_1 d/2 + \psi) \exp[\gamma_2(x + d/2)]\)
- 覆盖层(x>d/2):k₃² - β² = -γ₃² < 0,方程解为指数衰减函数(消逝波): \(\mathcal{E}_y(x) = C_{TE} \cos(h_1 d/2 - \psi) \exp[-\gamma_3(x - d/2)]\)
- 物理意义:芯层中光场振荡,包层中光场指数衰减,能量主要集中在芯层。
2.6 边界条件(波动方程求解关键)
芯层与包层界面($x=±d/2$)处,场需满足“连续条件”(源于麦克斯韦方程组的边界条件):
- TE模式:$E_y$(切向电场)和$∂E_y/∂x$(与H_z成正比,切向磁场相关)连续;
- TM模式:$H_y$(切向磁场)和$∂H_y/∂x$(与E_z成正比,切向电场相关)连续;
- 作用:代入边界条件可确定相位常数ψ和特征方程,与射线光学理论得到的特征方程一致(验证理论正确性)。
2.7 模式的正交性(简答考点)
2.7.1 正交性定义
无损耗波导中,不同导模(v和μ)的功率积分满足: \(\int_{-\infty}^{\infty} \int_{-\infty}^{\infty} \left( \mathcal{E}_v \times \mathcal{H}_\mu^\ast + \mathcal{E}_\mu^\ast \times \mathcal{H}_v \right) \cdot \hat{z} dxdy = \pm P_v \delta_{v\mu}\)
- 说明:$δ_{vμ}$为克罗内克函数,$v=μ$时$δ=1$,$v≠μ$ 时 $δ=0$;$P_v$ 为模式 $v$ 的功率;
2.7.2 物理意义
- 不同模式之间无功率耦合:光在波导中传播时,各模式的能量相互独立,不会从一个模式转移到另一个模式;
- 模式展开:任意光场可表示为各导模的线性组合,正交性是展开的数学基础。
三、阶跃折射率平面波导(3.3):考试计算重点
阶跃折射率平面波导是“芯层/包层折射率突变”的平面波导,分为对称和非对称两类,是考试计算的核心载体。
3.1 对称阶跃平面波导(n₂=n₃)
3.1.1 核心特点
- 不对称因子a=0,γ₂=γ₃,特征方程简化: TE模式:( tan\left( \frac{h₁d}{2} - \frac{m\pi}{2} \right) = \frac{\gamma₂}{h₁} )
- 截止条件:基模(m=0)$V₀^c=0$,无截止波长,永远是导模;高阶模(m≥1)$V_m^c = mπ$;
- 单模条件:V < π(仅支持TE₀、TM₀两个模式,因TE/TM模式简并)。
3.1.2 约束因子(Γ):功率 confinement 程度
- 定义:导模功率在芯层的占比,( \Gamma = \frac{P_{core}}{P_{total}} )(P_core为芯层功率,P_total为总功率);
- 公式(TE基模):( \Gamma_{TE0} \approx \frac{V²}{2 + V²} )(误差<1.5%,简化计算);
- 物理意义:Γ越接近1,光能量越集中在芯层,约束效果越好;V越大,Γ越接近1。
3.2 非对称阶跃平面波导(n₂≠n₃)
3.2.1 核心特点
- 特征方程无简化,需用原始公式求解;
- 截止条件:所有模式(包括基模)均有截止波长,V<V_m^c时模式截止;
- 模式数量:TE和TM模式数量不同(因TM模式的截止V_m^c更大),需分别计算。
3.3 计算题示例:模式数量与截止厚度(考试真题难度)
例题:非对称阶跃平面波导,芯层n₁=1.77,衬底n₂=1.45,覆盖层n₃=1,芯层厚度d=2μm,光波长λ=1μm,求:
(1)归一化频率V;(2)TE/TM模式数量;(3)TM₃模式的截止厚度d_c。
解答步骤:
-
计算V(归一化频率): \(V = \frac{2\pi d}{\lambda} \sqrt{n₁² - n₂²} = \frac{2\pi×2}{1}×\sqrt{1.77² - 1.45²} ≈ 12.76\)
-
计算不对称因子a(TE模式)和a_M(TM模式): \(a_E = \frac{n₂² - n₃²}{n₁² - n₂²} = \frac{1.45² - 1²}{1.77² - 1.45²} ≈ 1.07\) \(a_M = \frac{n₁⁴}{n₃⁴}×a_E = 1.77⁴×1.07 ≈ 10.5\)
- 计算模式数量:
- TE模式:( M_{TE} = \left[ \frac{V}{\pi} - \frac{1}{\pi}tan^{-1}\sqrt{a_E} \right]{int} = \left[ \frac{12.76}{\pi} - \frac{1}{\pi}tan^{-1}\sqrt{1.07} \right]{int} ≈ [4 - 0.255]_{int} = 4 )(TE₀~TE₃)
- TM模式:( M_{TM} = \left[ \frac{V}{\pi} - \frac{1}{\pi}tan^{-1}\sqrt{a_M} \right]{int} = \left[ 4 - \frac{1}{\pi}tan^{-1}\sqrt{10.5} \right]{int} ≈ [4 - 0.405]_{int} = 4 )(TM₀~TM₃)
- 计算TM₃模式的截止厚度d_c:
- TM模式截止归一化频率:( V_{3}^{c} = tan^{-1}\sqrt{a_M} + 3\pi ≈ tan^{-1}\sqrt{10.5} + 3\pi ≈ 1.27 + 9.42 = 10.69 )
- 截止厚度:( d_c = \frac{\lambda V_{3}^{c}}{2\pi\sqrt{n₁² - n₂²}} = \frac{1×10.69}{2\pi×\sqrt{1.77² - 1.45²}} ≈ 1.68μm )
结论:
(1)V≈12.76;(2)4个TE模式、4个TM模式;(3)TM₃截止厚度≈1.68μm,当d<1.68μm时TM₃截止。
四、阶跃折射率圆形波导(3.4):光纤核心
圆形波导即“光纤(Optical Fiber)”,是最常用的光波导,核心结构为“圆柱形芯层(n₁)+ 圆柱形包层(n₂)”,应用于光纤通信、传感等,考试重点为单模光纤特性。
4.1 光纤的基本结构与参数
4.1.1 结构
- 芯层:半径a,n₁;包层:半径b(b>a),n₂(n₁>n₂);涂覆层:保护光纤,不参与光传输;
- 关键参数:相对折射率差( \Delta = \frac{n₁ - n₂}{n₁} )(单模光纤Δ≈10⁻³,多模光纤Δ≈1%)。
4.1.2 核心参数(与平面波导对应,需对比记忆)
| 参数 | 公式 | 物理意义 | |——————–|—————————————|————————————————————————–| | 归一化频率(V) | ( V = \frac{2\pi a}{\lambda} \sqrt{n₁² - n₂²} ) | 决定光纤支持的模式数量,单模光纤V<2.405 | | 数值孔径(NA) | ( NA = \sqrt{n₁² - n₂²} = sin\theta_m ) | 描述光纤的“收光能力”,θ_m为最大接收角(入射光θ≤θ_m才能耦合为导模) | | 有效折射率(n_eff)| ( n_{eff} = \frac{\beta}{k_0} ) | 描述光纤中光的传播速度,n₂ < n_eff < n₁ |
4.2 光纤的模式分类
4.2.1 为什么有混合模?
圆形波导是x、y双向约束,场分量与角坐标φ相关,E_z和H_z无法完全 decouple,因此存在混合模(HEₘₙ、EHₘₙ):
- HEₘₙ:H_z主导(横向磁场分量强);
- EHₘₙ:E_z主导(横向电场分量强);
- m=0时:退化为TE₀ₙ(E_z=0)、TM₀ₙ(H_z=0)模式(无角向变化)。
4.2.2 弱导近似与LP模式(零基础重点)
实际光纤的相对折射率差Δ很小(Δ«1),称为“弱导光纤”,可做“ scalar 近似”,将复杂的混合模简化为线偏振模(LPₘₙ),方便分析:
- LPₘₙ:横向电场近似为线偏振,m为角向模式指数(对应φ方向的强度极大值数量的一半),n为径向模式指数(对应r方向的强度极大值数量);
- 核心结论:单模光纤的基模是LP₀₁(对应HE₁₁模式),无截止波长;
- 单模条件:V < 2.405(仅支持LP₀₁模式,因次高阶模LP₁₁的截止V_c=2.405)。
4.3 光纤的色散(考试简答高频考点)
4.3.1 什么是色散?
光信号由不同频率/模式组成,不同频率/模式的传播速度不同,导致信号脉冲在传输中展宽,限制通信带宽,这一现象称为色散。
4.3.2 色散分类
| 色散类型 | 产生原因 | 影响 | |—————-|————————————————————————–|———————————————————————-| | 模式色散(Intermode) | 多模光纤中不同模式的n_eff不同,传播速度不同 | 多模光纤的主要带宽限制,单模光纤无模式色散 | | 材料色散(Material) | 折射率n(ω)随角频率ω变化(色散介质),不同频率的光传播速度不同 | 所有光纤均存在,可通过波导色散补偿 | | 波导色散(Waveguide) | 模式的 (n_eff) 随波长λ变化(由光纤结构决定),不同频率的光传播速度不同 | 单模光纤的主要色散,可通过设计光纤结构调节(如色散位移光纤) |
4.3.3 零色散波长(λ₀)
- 定义:材料色散与波导色散相互抵消,总色散D=0的波长;
- 标准单模光纤(G.652):λ₀≈1310nm,在1550nm处色散D≈17ps/(nm·km);
- 色散位移光纤(G.653):通过设计芯层半径和折射率分布,将λ₀移至1550nm(低损耗窗口),实现“低损耗+零色散”。
4.4 光纤计算题示例:单模判断与脉冲展宽
例题:标准单模光纤,芯层半径a=4.7μm,n₁=1.4628,n₂=1.4600,光波长λ=1550nm,求:
(1)该光纤是否为单模?(2)若用于传输10Gb/s信号,传输距离L=100km,群速度色散D=17ps/(nm·km),信号光谱带宽Δλ=0.075nm,求脉冲展宽Δτ。
解答步骤:
-
计算归一化频率V: \(V = \frac{2\pi a}{\lambda} \sqrt{n₁² - n₂²} = \frac{2\pi×4.7}{1550×10^{-9}}×\sqrt{1.4628² - 1.4600²} ≈ 2.0 < 2.405\) 结论:是单模光纤。
-
计算脉冲展宽Δτ: 脉冲展宽公式(群速度色散导致):( \Deltaτ = D×L×\Deltaλ ) 代入数据:( \Deltaτ = 17×100×0.075 = 127.5ps )
结论:
(1)是单模光纤;(2)脉冲展宽≈128ps,需确保展宽小于脉冲宽度(10Gb/s信号脉冲宽度≈100ps,需优化色散补偿)。
五、选学内容(3.5-3.6):考试低频考点
5.1 渐变折射率波导(Graded-index Waveguide)
- 核心特点:芯层折射率沿横向渐变(如抛物线型 (n(x) = n₁[1 - Δ(x/d)²]));
- 优势:射线沿正弦曲线传播,减少模式色散(多模渐变光纤的带宽远大于多模阶跃光纤);
- 考试要求:了解“渐变折射率可减少模式色散”即可,无需掌握复杂公式。
5.2 沟道波导(Channel Waveguide)
- 核心特点:x、y双向约束(如条形、埋入式结构),用于集成光电子芯片(如波导调制器、耦合器);
- 考试要求:了解“双向约束”的结构特点,无需深入推导。
六、考试重点汇总(简答+计算)
6.1 简答题高频考点(完整回答思路)
- 什么是光波导?其核心结构与工作原理是什么?
- 定义:高折射率芯层+低折射率包层的 dielectric 结构;
- 结构:芯层(n₁)、包层(n₂<n₁);
- 原理:利用全反射(TIR)将光约束在芯层,引导纵向传播。
- 平面波导为什么没有混合模?
- 平面波导仅x方向约束,y方向无约束(∂/∂y=0);
- 场分量与y无关,E_z和H_z完全解耦,仅存在TE(E_z=0)和TM(H_z=0)模式,无混合模。
- 单模光纤的判据是什么?其基模是什么?
- 判据:归一化频率V < 2.405;
- 基模:LP₀₁模式(对应HE₁₁混合模),无截止波长。
- 光纤的色散有哪些类型?如何实现零色散?
- 类型:模式色散、材料色散、波导色散;
- 零色散:通过波导色散补偿材料色散,使总色散D=0(如色散位移光纤)。
6.2 计算题高频考点(公式+步骤)
- 归一化频率V计算:( V = \frac{2\pi d}{\lambda} \sqrt{n₁² - n₂²} )(平面波导)/ ( V = \frac{2\pi a}{\lambda} \sqrt{n₁² - n₂²} )(光纤);
- 模式数量判断:代入M_TE、M_TM公式,向下取整;
- 截止波长/厚度计算:( \lambda_m^c = \frac{2\pi d \sqrt{n₁² - n₂²}}{V_m^c} ) / ( d_m^c = \frac{\lambda V_m^c}{2\pi \sqrt{n₁² - n₂²}} );
- 光纤脉冲展宽:( \Deltaτ = D×L×\Deltaλ );
- 约束因子Γ计算:对称平面波导TE基模用简化公式( \Gamma≈\frac{V²}{2+V²} )。
七、零基础学习建议
- 先记结构与概念:明确“芯层/包层”“全反射”“导模/辐射模”的物理意义,避免死记公式;
- 公式分模块记忆:将公式按“平面波导参数”“特征方程”“光纤参数”“计算类”分类,结合例题理解;
- 多练计算题:重点练“V计算→模式判断→截止参数”的逻辑链,掌握代入数据的技巧;
- 简答踩关键词:回答时包含“定义+结构+原理+结论”,如“单模光纤”需答判据、基模、特点。
第三章重点知识点整理
包含4个核心模块,覆盖考试所有高频考点,逻辑链:V计算→模式判断/截止参数/传播常数
一、核心术语表(中英对照+物理意义)
| 中文术语 | 英文术语 | 物理意义 | |————————|——————————|————————————————————————–| | 光波导 | Optical Waveguide | 高折射率芯层+低折射率包层的介质结构,通过全反射约束光纵向传播 | | 全反射 | Total Internal Reflection (TIR) | 光从光密介质入射到光疏介质,入射角>临界角时,无折射仅反射,|r|=1 | | 临界角 | Critical Angle (θ_c) | 全反射的临界入射角,(θ_c=sin⁻¹(n₂/n₁)) | | 导模 | Guided Mode | 满足全反射条件,能量被约束在芯层,沿z方向稳定传播的模式 | | 辐射模 | Radiation Mode | 不满足全反射条件,能量向包层发散,无法稳定传播的模式 | | 传播常数 | Propagation Constant (β) | 描述光沿z方向相位变化率,(β=k₀n_β),导模满足 ( k₀n₂<β<k₀n₁ ) | | 有效折射率 | Effective Index (n_β) | 等效描述波导中光的传播速度,n_β=β/k₀,n₂<n_β<n₁ | | 归一化频率 | Normalized Frequency (V) | 综合波长、芯层尺寸、折射率差的无量纲参数,决定模式数量 | | 数值孔径 | Numerical Aperture (NA) | 描述光纤收光能力,( NA=√(n₁²-n₂²)=sinθ_m )(θ_m为最大接收角) | | 截止波长 | Cutoff Wavelength (λ_m^c) | 导模转变为辐射模的临界波长,( λ>λ_m^c )时模式截止 | | 色散 | Dispersion | 不同频率/模式的光传播速度不同,导致脉冲展宽,限制通信带宽 | | 线偏振模 | Linearly Polarized (LP) Mode | 弱导光纤中简化的模式,横向电场近似线偏振,如 (LP₀₁)(单模光纤基模) |
二、核心公式大全(分类整理+符号说明)
(一)基础参数公式
| 公式 | 符号说明 | |—————————————|————————————————————————–| | ( k_0 = \frac{2\pi}{\lambda} = \frac{\omega}{c} ) | (k₀):自由空间波数;(λ):光波长;ω:角频率;c:真空中光速(3×10⁸m/s) | | ( n_\beta = \frac{\beta}{k_0} = n_1 sin\theta_i ) | (n_β):有效折射率;(β):传播常数;(θ_i):入射角 | | ( V = k_0 d \sqrt{n_1^2 - n_2^2} )(平面波导) | (V):归一化频率;(d):芯层厚度;n₁:芯层折射率;n₂:包层折射率 | | ( V = k_0 a \sqrt{n_1^2 - n_2^2} )(光纤) | (a):光纤芯层半径 | | ( NA = \sqrt{n_1^2 - n_2^2} = sin\theta_m ) | (NA):数值孔径;(θ_m):最大接收角 | | ( \Delta = \frac{n_1 - n_2}{n_1} )(相对折射率差) | (Δ):弱导光纤中Δ≈10⁻³ |
(二)特征方程(核心考点)
1. 平面波导特征方程
| 模式类型 | 特征方程 | |———-|————————————————————————–| | TE模式 | ( h_1 d = m\pi + tan^{-1}\left(\frac{\gamma_2}{h_1}\right) + tan^{-1}\left(\frac{\gamma_3}{h_1}\right) ) | | | 等价形式:( tan(h_1 d) = \frac{h_1(\gamma_2 + \gamma_3)}{h_1^2 - \gamma_2 \gamma_3} ) | | TM模式 | ( tan(h_1 d) = \frac{n_1^2 h_1(n_3^2 \gamma_2 + n_2^2 \gamma_3)}{n_2^2 n_3^2 h_1^2 - n_1^4 \gamma_2 \gamma_3} ) | | 符号定义 | ( h_1 = \sqrt{k_0^2 n_1^2 - \beta^2} )(芯层横向传播常数);( \gamma_2 = \sqrt{\beta^2 - k_0^2 n_2^2} )(衬底衰减系数);( \gamma_3 = \sqrt{\beta^2 - k_0^2 n_3^2} )(覆盖层衰减系数);m=0,1,2,…(模式阶数) |
2. 光纤(LP模式)特征方程
\(\frac{h a J_{m-1}(h a)}{J_m(h a)} = -\frac{\gamma a K_{m-1}(\gamma a)}{K_m(\gamma a)}\)
- 符号定义:( h = \sqrt{k_0^2 n_1^2 - \beta^2} );( \gamma = \sqrt{\beta^2 - k_0^2 n_2^2} );J_m:第一类贝塞尔函数;K_m:第二类修正贝塞尔函数;m:角向模式指数;n:径向模式指数
(三)截止条件公式
| 应用场景 | 公式 | |————————|———————————————————————-| | 平面波导TE模式截止波长 | ( \lambda_m^c = \frac{2\pi d \sqrt{n_1^2 - n_2^2}}{V_m^c} ),其中( V_m^c = m\pi + tan^{-1}\sqrt{a} ) | | 平面波导截止厚度 | ( d_m^c = \frac{\lambda V_m^c}{2\pi \sqrt{n_1^2 - n_2^2}} ) | | 光纤单模条件 | ( V < 2.405 )(仅支持LP₀₁模式) | | 符号定义 | a:不对称因子(( a = \frac{n_2^2 - n_3^2}{n_1^2 - n_2^2} ));V_m^c:截止归一化频率 |
(四)计算类核心公式
| 计算类型 | 公式 | |————————|———————————————————————-| | 模式数量(TE) | ( M_{TE} = \left[ \frac{V}{\pi} - \frac{1}{\pi} tan^{-1}\sqrt{a} \right]{int} ) | | 模式数量(TM) | ( M{TM} = \left[ \frac{V}{\pi} - \frac{1}{\pi} tan^{-1}\left( \frac{n_1^2}{n_3^2} \sqrt{a} \right) \right]{int} ) | | 约束因子(TE基模) | ( \Gamma{TE0} \approx \frac{V^2}{2 + V^2} )(对称平面波导,误差<1.5%) | | 光纤脉冲展宽 | ( \Delta\tau = D \cdot L \cdot \Delta\lambda )(D:群速度色散;L:传输距离;Δλ:光谱带宽) |
三、10道计算题(含详细解析)
题型1:模式数量判断(必考)
题目1:非对称平面波导,n₁=1.77,n₂=1.45,n₃=1,d=2μm,λ=1μm,求TE、TM模式数量。
解析步骤:
- 计算归一化频率V: \(V = \frac{2\pi d}{\lambda} \sqrt{n_1^2 - n_2^2} = \frac{2\pi×2}{1}×\sqrt{1.77²-1.45²}≈12.76\)
- 计算不对称因子a_E(TE)、a_M(TM): \(a_E = \frac{n_2² - n_3²}{n_1² - n_2²} = \frac{1.45²-1²}{1.77²-1.45²}≈1.07\) \(a_M = \frac{n_1⁴}{n_3⁴}×a_E = 1.77⁴×1.07≈10.5\)
- 计算模式数量(向下取整): \(M_{TE} = \left[ \frac{12.76}{\pi} - \frac{1}{\pi}tan^{-1}\sqrt{1.07} \right]_{int}≈[4-0.255]_{int}=4\) \(M_{TM} = \left[ \frac{12.76}{\pi} - \frac{1}{\pi}tan^{-1}\sqrt{10.5} \right]_{int}≈[4-0.405]_{int}=4\) 答案:4个TE模式(TE₀~TE₃),4个TM模式(TM₀~TM₃)。
题型2:截止厚度计算
题目2:承接题目1,求TM₃模式的截止厚度d_c。
解析步骤:
- TM₃模式截止归一化频率: \(V_3^c = tan^{-1}\sqrt{a_M} + 3\pi≈tan^{-1}\sqrt{10.5}+9.42≈1.27+9.42=10.69\)
- 截止厚度公式: \(d_c = \frac{\lambda V_3^c}{2\pi\sqrt{n_1² - n_2²}} = \frac{1×10.69}{2\pi×\sqrt{1.77²-1.45²}}≈1.68μm\) 答案:TM₃模式截止厚度≈1.68μm,d<1.68μm时该模式截止。
题型3:光纤单模判断
题目3:光纤n₁=1.4628,n₂=1.4600,芯层半径a=4.7μm,λ=1550nm,判断是否为单模光纤。
解析步骤:
- 计算归一化频率V: \(V = \frac{2\pi a}{\lambda} \sqrt{n_1² - n_2²} = \frac{2\pi×4.7}{1550×10^{-9}}×\sqrt{1.4628²-1.4600²}≈2.0\)
- 单模条件:V<2.405,2.0<2.405,满足单模条件。 答案:是单模光纤,仅支持LP₀₁(HE₁₁)模式。
题型4:传播常数与有效折射率
题目4:对称平面波导n₁=1.5,n₂=1.46,d=2μm,λ=1.5μm,求TE₀模式的n_β(提示:V<π,用约束因子简化公式)。
解析步骤:
- 计算V: \(V = \frac{2\pi×2}{1.5}×\sqrt{1.5²-1.46²}≈0.92\pi≈2.89\)
- 约束因子Γ≈V²/(2+V²)=2.89²/(2+2.89)≈8.35/4.89≈1.71(此处Γ>1,说明用简化公式,直接通过V求n_β): \(V = k_0 d \sqrt{n_1² - n_β²} \to n_β = \sqrt{n_1² - \left(\frac{V}{k_0 d}\right)^2}\) \(k_0 = 2\pi/1.5×10^{-6}≈4.189×10^6 m^{-1}\) \(\frac{V}{k_0 d} = 2.89/(4.189×10^6×2×10^{-6})≈2.89/8.378≈0.345\) \(n_β = \sqrt{1.5² - 0.345²}≈\sqrt{2.25-0.119}≈\sqrt{2.131}≈1.46\) 答案:TE₀模式的有效折射率 (n_β≈1.46)。
题型5:光纤脉冲展宽
题目5:10Gb/s信号在λ=1500nm的单模光纤中传输,L=100km,D=17ps/(nm·km),Δλ=0.075nm,求脉冲展宽Δτ。
解析步骤:
- 脉冲展宽公式:(Δτ=D×L×Δλ)
- 代入数据:(Δτ=17×100×0.075=127.5ps≈128ps) 答案:脉冲展宽≈128ps。
题型6:截止波长计算
题目6:非对称平面波导n₁=1.6,n₂=1.5,n₃=1,d=1μm,求TE₀模式的截止波长λ₀^c。
解析步骤:
- 不对称因子(a_E=(1.5²-1²)/(1.6²-1.5²)=(2.25-1)/(2.56-2.25)=1.25/0.31≈4.03)
- 截止归一化频率(V₀^c=tan⁻¹√a_E=tan⁻¹√4.03≈tan⁻¹2.01≈1.11rad)
- 截止波长:(λ₀^c=2πd√(n₁²-n₂²)/V₀^c=2π×1×√(1.6²-1.5²)/1.11≈2π×0.557/1.11≈3.17μm) 答案:TE₀模式截止波长≈3.17μm。
题型7:对称平面波导模式判断
题目7:对称平面波导n₁=1.5,n₂=1.46,d=2μm,λ=1.3μm,判断是单模还是多模。
解析步骤:
- 计算V:(V=2π×2/1.3×√(1.5²-1.46²)≈(12.31)/1.3×0.109≈1.06π≈3.33)
- 对称平面波导单模条件:(V<π≈3.14,3.33>3.14),为多模。 答案:多模 waveguide,支持TE₀、TE₁、TM₀、TM₁模式。
题型8:数值孔径计算
题目8:光纤n₁=1.5,n₂=1.48,求NA和最大接收角θ_m。
解析步骤:
- (NA=√(n₁²-n₂²)=√(1.5²-1.48²)=√(2.25-2.1904)=√0.0596≈0.244)
- (θ_m=sin⁻¹(NA)=sin⁻¹(0.244)≈14.1°) 答案:(NA≈0.244),最大接收角≈14.1°。
题型9:约束因子计算
题目9:对称平面波导n₁=1.5,n₂=1.46,d=2μm,λ=1.5μm,求TE₀模式的约束因子Γ。
解析步骤:
- 之前计算(V≈2.89)
- (Γ=V²/(2+V²)=2.89²/(2+8.35)≈8.35/10.35≈0.807) 答案:约束因子(Γ≈0.81)(81%的功率集中在芯层)。
题型10:光纤模式数量(多模光纤)
题目10:多模光纤n₁=1.5,n₂=1.48,a=25μm,λ=1.5μm,求大致模式数量。
解析步骤:
- 计算V:(V=2π×25/1.5×√(1.5²-1.48²)≈(104.72)/1.5×0.0597≈4.17)
- 多模光纤模式数量 (≈V²/2=4.17²/2≈8.7≈9个) 答案:大致支持9个模式。
四、5道简答题(标准回答)
简答题1:简述光波导的工作原理与核心结构。
标准回答: 光波导的核心结构是“高折射率芯层(n₁)+ 低折射率包层(n₂<n₁)”;工作原理基于全反射(TIR):光从芯层入射到包层时,若入射角>临界角(θ_c=sin⁻¹(n₂/n₁)),会发生全反射,无能量透射至包层,光以“之字形”在芯层内传播,实现横向约束和纵向引导。
简答题2:平面波导的导模与辐射模有何区别?
标准回答:
- 导模:满足θ_i>θ₂c≥θ₃c,传播常数k₀n₂<β<k₀n₁,能量被约束在芯层,沿z方向稳定传播,场分布为芯层振荡+包层消逝波;
- 辐射模:θ_i<θ₂c或θ₃c,β<k₀n₂,光在芯层-包层界面发生折射,能量向包层发散,无法稳定传播。
简答题3:单模光纤的判据是什么?其基模是什么?有何特点?
标准回答:
- 判据:归一化频率V<2.405;
- 基模:LP₀₁模式(对应HE₁₁混合模);
- 特点:无截止波长 (V₀^c=0),仅支持一个模式,无模式色散,传输带宽大,适用于长距离通信。
简答题4:光纤的色散有哪些类型?如何实现零色散?
标准回答:
- 色散类型:①模式色散(多模光纤,不同模式传播速度不同);②材料色散(折射率n随频率变化);③波导色散(模式有效折射率随波长变化,由光纤结构决定);
- 零色散实现:通过平衡材料色散(正)和波导色散(负),使总色散D=0,如标准单模光纤(G.652)零色散波长≈1310nm,色散位移光纤(G.653)将零色散波长移至1550nm(低损耗窗口)。
简答题5:简述平面波导中TE模式与TM模式的区别。
标准回答:
- TE模式(横电模式):纵向电场分量E_z=0,仅含横向电场(Eᵧ)和纵向/横向磁场(H_z、Hₓ),全反射时相位偏移φ_TE与折射率直接相关;
- TM模式(横磁模式):纵向磁场分量H_z=0,仅含横向磁场(Hᵧ)和纵向/横向电场(E_z、Eₓ),全反射时相位偏移φ_TM含n₁²/n₂²因子;
- 共性:均满足特征方程,离散存在,导模范围均为k₀n₂<β<k₀n₁。